杂质、缺陷对半导体的影响(

杂质、缺陷对半导体的影响(

为什么说杂质对半导体的导电性影响很大??？
1🌷|_🌦、杂质补偿🐚🦅|——🦖🎉：半导体中存在施主杂质和受主杂质时🐾——✨，它们底共同作用会使载流子减少*——|🐀🎱，这种作用称为杂质补偿🌺🌸-🤒。在制造半导体器件底过程中*😛-🍂，通过采用杂质补偿底方法来改变半导体某个区域底导电类型或电阻率🍄|_🎐🍃。2🏅🦌_🐷🎫、高度补偿🎯🐕——🙉：若施主杂质浓度与受主杂质浓度相差不大或二者相等☀️🦭|😑，则不能提供电子或空穴😺🧸|_🦤🧶，这种情况称为杂质说完了😐——🦂🦂。
半导体的杂质对半导体的物理性质的影响🤢_👿🌸，主要影响是自由电子和空穴数量的精确控制😰🎴——|🐪🤡。简单说⛳🐌_🦈，杂质越多😫🐁|🧐☀️，说明物理材料中的自由电子和空穴精确控制就越差🎀-☄️，差可以导致两个物理指标下降*😼_——🐂：1.杂散电流随环境温度增加而增加🐟——🦀；2.PN结的耐压程度和温度系数变劣🎍😳——_🔮。
杂质和缺陷对少子寿命的影响?？
影响极大🐅|🪶，减短寿命🎊*——_😳。少子寿命是半导体材料和器件的重要参数🎍😗|😢，即少数载流子寿命💫——|🐔🧶。光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命🐳🦣||🪢。杂质和缺陷对少子寿命影响极大😐🦗——|*，减短寿命😁_-🐲，杂质🐳_🦘、缺陷愈多非平衡载流子消失得愈快🤯🃏|🃏🌕，在复合过程中少数载流子起主导和决定的作用*-_🀄⚡️。会产生杂质能级😧🐔——-*💐，成为少子的复合中心还有呢？
半导体掺杂后其电阻率大大下降🦮|——🐄。加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小😩-🪡🐼，半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的🦒-🐥🐂。对掺入施主杂质的半导体🃏🎯——*，导电载流子主要是导带中的电子🦤🐣-🐕，属电子型导电*-🐸🎭，称N型半导体🏸-_🐀🌨。掺入受主杂质的半导体属空穴型导电🐾🐏-——🦔，称P型半导体🎫_|🎎。半导体在任何到此结束了？🎨||*。
晶体中杂质、缺陷会对晶体能带结构有何影响??？
导致半导体的导电性能发生改变⚡️_🪆🌴。此外🐃__☁️，晶格中的缺陷如空位🦦——-🏏、间隙原子和位错等也会对晶体能带结构产生影响🃏_|🤭，从而改变晶体的物理🦗🧨-👻🐏、化学和电学性质🌸|🎑。因此🪁🤗——🐕，在制备和设计新型材料时🍀——-🐉🙊，需要对杂质和缺陷的类型🏆_——🙂🏑、浓度🐐🦬_|🦣、分布和作用机理等进行深入的研究🌏-_*🌺，以实现对晶体结构和性能的精确调控和优化🦖🐩-🦂。
深能级杂质（重金属杂质）主要是产生复合中心🤨——|🐬🐦，减短非平衡载流子寿命🎽|🌷😭；浅能级杂质（施主和受主杂质）主要是提供载流子😞-😌🕸。这两种杂质都将散射载流子🐪🐑_-🐔，可使迁移率下降😁🌟_🤓😓。详见“”中的有关说明🙀🦡-_😘。
晶体缺陷种类与半导体电的影响? 会答了 给高分。?？
半导体晶体中偏离完整结构的区域称为晶体缺陷🥇——🐇🦭。按其延展的尺度可分为点缺陷*||🦈🐗、线缺陷🤬🎗——🦩、面缺陷和体缺陷🐣🌱——🐚🦠，这4类缺陷都属于结构缺陷🎍|——🐤。根据缺陷产生的原因可分为原生缺陷和二次缺陷🤿🌗|🦚🐐。从化学的观点看🐏|——😑，晶体中的杂质也是缺陷🐋🎨_😌🐇，杂质还可与上述结构缺陷相互作用形成复杂的缺陷*-🐳😵。一般情况下🌵😡-_🌛，晶体缺陷是指结构缺陷🪢🦗——-🎎🤐。点有帮助请点赞🐪——🐝🎋。
杂质半导体的电阻率随温度升高而增大的原因是多方面的😼__🌹，具体如下🦎————🌺：半导体中的杂质和缺陷对载流子的运动有散射作用😺——|🦕🥍，随着温度的升高🎄-🐑🦏，载流子运动加剧☄️||😷，散射作用增强🌺😄————💐，电阻率增大😨_🎟。当温度升高时☺️🐈‍⬛——|🐫，本征激发显著加强🦝_🤮，本征载流子浓度增加😍🍄_-🧩，它们在外电场作用下参与导电🎋🐅————🛷🎫，导致电阻率增大*🎋——_*🐟。在温度较高时🎾🕷-🕷，杂质全部电离🐀_-🎄，..

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